Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTH4L040N120M3S onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V, Power Dissipation (Max): 231W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V.
Інші пропозиції NTH4L040N120M3S за ціною від 482.41 грн до 1094.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTH4L040N120M3S | Виробник : onsemi |
 Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELIPackaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V Power Dissipation (Max): 231W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247-4L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V |
на замовлення 2166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| NTH4L040N120M3S | Виробник : ONN |
|
на замовлення 734 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |