Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTH4L040N120SC1
NTH4L040N120SC1

NTH4L040N120SC1 ON Semiconductor

nth4l040n120sc1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
450+940.89 грн
Мінімальне замовлення: 450
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTH4L040N120SC1 ON Semiconductor

Description: SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V, Power Dissipation (Max): 319W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1762 pF @ 800 V.

Інші пропозиції NTH4L040N120SC1 за ціною від 811.41 грн до 1835.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTH4L040N120SC1 NTH4L040N120SC1 Виробник : onsemi nth4l040n120sc1-d.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1762 pF @ 800 V
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1356.97 грн
30+ 1083.16 грн
120+ 1015.46 грн
510+ 813.2 грн
NTH4L040N120SC1 NTH4L040N120SC1 Виробник : ONSEMI NTH4L040N120SC1-D.PDF Description: ONSEMI - NTH4L040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1390.75 грн
5+ 1275.42 грн
10+ 1159.34 грн
50+ 1075.13 грн
100+ 931.45 грн
250+ 811.41 грн
NTH4L040N120SC1 NTH4L040N120SC1 Виробник : onsemi NTH4L040N120SC1_D-2318873.pdf MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L
на замовлення 2555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1449.5 грн
10+ 1332.05 грн
25+ 1031.46 грн
100+ 968.71 грн
250+ 964.7 грн
450+ 843.2 грн
2700+ 830.51 грн
NTH4L040N120SC1 NTH4L040N120SC1 Виробник : ON Semiconductor nth4l040n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1835.53 грн
10+ 1450.89 грн
NTH4L040N120SC1 NTH4L040N120SC1 Виробник : ONSEMI NTH4L040N120SC1.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 41A; Idm: 232A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 41A
Pulsed drain current: 232A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTH4L040N120SC1 NTH4L040N120SC1 Виробник : ON Semiconductor nth4l040n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTH4L040N120SC1 NTH4L040N120SC1 Виробник : ONSEMI NTH4L040N120SC1.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 41A; Idm: 232A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 41A
Pulsed drain current: 232A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товар відсутній