Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTH4L045N065SC1
NTH4L045N065SC1

NTH4L045N065SC1 ON Semiconductor

nth4l045n065sc1d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+611.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTH4L045N065SC1 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTH4L045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 55 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 187W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm.

Інші пропозиції NTH4L045N065SC1 за ціною від 472.22 грн до 999.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTH4L045N065SC1 NTH4L045N065SC1 ON Semiconductor nth4l045n065sc1d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+625.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L045N065SC1 NTH4L045N065SC1 ON Semiconductor nth4l045n065sc1d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+625.24 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L045N065SC1 NTH4L045N065SC1 ON Semiconductor nth4l045n065sc1d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+879.25 грн
100+835.65 грн
500+790.86 грн
1000+720.56 грн
10000+628.25 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L045N065SC1 NTH4L045N065SC1 ON Semiconductor nth4l045n065sc1d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+879.25 грн
100+835.65 грн
500+790.86 грн
1000+720.56 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L045N065SC1 NTH4L045N065SC1 onsemi nth4l045n065sc1-d.pdf Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+999.36 грн
30+585.69 грн
60+540.87 грн
120+472.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L045N065SC1 NTH4L045N065SC1 onsemi nth4l045n065sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
на замовлення 1589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L045N065SC1 NTH4L045N065SC1 ONSEMI NTH4L045N065SC1-D.PDF Description: ONSEMI - NTH4L045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 55 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 187W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L045N065SC1 nth4l045n065sc1d.pdf
NTH4L045N065SC1
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+625.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L045N065SC1 nth4l045n065sc1d.pdf
NTH4L045N065SC1
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+625.24 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L045N065SC1 nth4l045n065sc1d.pdf
NTH4L045N065SC1
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
41+879.25 грн
100+835.65 грн
500+790.86 грн
1000+720.56 грн
10000+628.25 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L045N065SC1 nth4l045n065sc1d.pdf
NTH4L045N065SC1
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
41+879.25 грн
100+835.65 грн
500+790.86 грн
1000+720.56 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L045N065SC1 nth4l045n065sc1-d.pdf
NTH4L045N065SC1
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+999.36 грн
30+585.69 грн
60+540.87 грн
120+472.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L045N065SC1 nth4l045n065sc1-d.pdf
NTH4L045N065SC1
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
на замовлення 1589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L045N065SC1 NTH4L045N065SC1-D.PDF
NTH4L045N065SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTH4L045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 55 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 187W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.