NTH4L045N065SC1 ON Semiconductor
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 450+ | 610.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTH4L045N065SC1 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTH4L045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 55 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 187W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTH4L045N065SC1 за ціною від 479.30 грн до 1335.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTH4L045N065SC1 | Виробник : onsemi |
 Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNELPackaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V Power Dissipation (Max): 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA Supplier Device Package: TO-247-4L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V |
на замовлення 89683 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTH4L045N065SC1 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTH4L045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 55 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 187W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTH4L045N065SC1 | Виробник : onsemi |
SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 33 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTH4L045N065SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTH4L045N065SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTH4L045N065SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTH4L045N065SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
NTH4L045N065SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |