NTH4L070N120M3S onsemi
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 65 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 646.61 грн |
| 10+ | 409.46 грн |
| 120+ | 259.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTH4L070N120M3S onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V, Power Dissipation (Max): 160W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V.
Інші пропозиції NTH4L070N120M3S за ціною від 435.97 грн до 660.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTH4L070N120M3S | Виробник : onsemi |
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA Supplier Device Package: TO-247-4L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V |
на замовлення 149 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| NTH4L070N120M3S | Виробник : ONN |
|
на замовлення 1800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
| NTH4L070N120M3S | Виробник : ON Semiconductor |
Silicon Carbide (SiC) MOSFET |
товару немає в наявності |