Продукція > ONSEMI > NTH4L070N120M3S
NTH4L070N120M3S

NTH4L070N120M3S onsemi

nth4l070n120m3s-d.pdf Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
на замовлення 64213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+667.25 грн
10+440.40 грн
450+288.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTH4L070N120M3S onsemi

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V, Power Dissipation (Max): 160W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V.

Інші пропозиції NTH4L070N120M3S за ціною від 286.88 грн до 715.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTH4L070N120M3S NTH4L070N120M3S Виробник : onsemi NTH4L070N120M3S-D.PDF SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 65 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+715.15 грн
10+452.86 грн
120+286.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L070N120M3S Виробник : ON Semiconductor nth4l070n120m3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 34A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
450+482.75 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L070N120M3S Виробник : ON Semiconductor nth4l070n120m3s-d.pdf Silicon Carbide (SiC) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L070N120M3S Виробник : ONSEMI nth4l070n120m3s-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 24A; Idm: 98A; 80W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 98A
Power dissipation: 80W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 136mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.