Продукція > ONSEMI > NTH4L075N065SC1
NTH4L075N065SC1

NTH4L075N065SC1 ONSEMI

NTH4L075N065SC1-D.PDF Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTH4L075N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+530.20 грн
5+494.80 грн
10+459.40 грн
50+393.71 грн
100+350.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTH4L075N065SC1 ONSEMI

Description: ONSEMI - NTH4L075N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 38A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 148W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTH4L075N065SC1 за ціною від 330.58 грн до 760.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTH4L075N065SC1 NTH4L075N065SC1 Виробник : onsemi nth4l075n065sc1-d.pdf SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 57 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 57 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+548.84 грн
30+432.97 грн
120+362.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L075N065SC1 NTH4L075N065SC1 Виробник : onsemi nth4l075n065sc1-d.pdf Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1196 pF @ 325 V
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+760.55 грн
30+436.68 грн
120+371.29 грн
510+330.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L075N065SC1 Виробник : ON Semiconductor nth4l075n065sc1-d.pdf Silicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
450+401.57 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L075N065SC1 Виробник : ON Semiconductor nth4l075n065sc1-d.pdf Silicon Carbide MOSFET,57mohm,650V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+755.14 грн
10+649.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L075N065SC1 Виробник : ONSEMI nth4l075n065sc1-d.pdf NTH4L075N065SC1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L075N065SC1 Виробник : ON Semiconductor nth4l075n065sc1-d.pdf Silicon Carbide MOSFET,57mohm,650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.