на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 580.09 грн |
| 10+ | 411.80 грн |
| 120+ | 339.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTH4L075N065SC1 onsemi
Description: ONSEMI - NTH4L075N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 38A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 148W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTH4L075N065SC1 за ціною від 320.66 грн до 892.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTH4L075N065SC1 | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - NTH4L075N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 148W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NTH4L075N065SC1 | Виробник : onsemi |
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 5 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V Power Dissipation (Max): 148W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA Supplier Device Package: TO-247-4L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1196 pF @ 325 V |
на замовлення 864 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| NTH4L075N065SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
Silicon Carbide (SiC) MOSFET |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| NTH4L075N065SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET,57mohm,650V |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| NTH4L075N065SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET,57mohm,650V |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| NTH4L075N065SC1 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 120A; 74W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 26A Case: TO247-4 Gate-source voltage: -5...18V Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 61nC On-state resistance: 68mΩ Technology: SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Power dissipation: 74W Pulsed drain current: 120A |
товару немає в наявності |