Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTH4L160N120SC1
NTH4L160N120SC1

NTH4L160N120SC1 ON Semiconductor

nth4l160n120sc1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27.3A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+576.33 грн
10+521.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTH4L160N120SC1 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTH4L160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 17.3 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 17.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 111W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції NTH4L160N120SC1 за ціною від 264.51 грн до 687.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTH4L160N120SC1 NTH4L160N120SC1 ON Semiconductor nth4l160n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27.3A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+576.33 грн
28+521.11 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L160N120SC1 NTH4L160N120SC1 ON Semiconductor nth4l160n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27.3A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+614.44 грн
10+563.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L160N120SC1 NTH4L160N120SC1 onsemi nth4l160n120sc1-d.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 800 V
на замовлення 3341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+687.36 грн
30+390.49 грн
120+330.95 грн
510+269.66 грн
1020+264.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L160N120SC1 NTH4L160N120SC1 onsemi nth4l160n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM INDUSTRY PART
на замовлення 2153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L160N120SC1 NTH4L160N120SC1 ONSEMI NTH4L160N120SC1-D.PDF Description: ONSEMI - NTH4L160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 17.3 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 111W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L160N120SC1 nth4l160n120sc1-d.pdf
NTH4L160N120SC1
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27.3A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+576.33 грн
28+521.11 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L160N120SC1 nth4l160n120sc1-d.pdf
NTH4L160N120SC1
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27.3A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+614.44 грн
10+563.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L160N120SC1 nth4l160n120sc1-d.pdf
NTH4L160N120SC1
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 800 V
на замовлення 3341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+687.36 грн
30+390.49 грн
120+330.95 грн
510+269.66 грн
1020+264.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L160N120SC1 nth4l160n120sc1-d.pdf
NTH4L160N120SC1
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM INDUSTRY PART
на замовлення 2153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L160N120SC1 NTH4L160N120SC1-D.PDF
NTH4L160N120SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTH4L160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 17.3 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 111W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.