Продукція > ONSEMI > NTH4LN019N65S3H
NTH4LN019N65S3H

NTH4LN019N65S3H ONSEMI

3191506.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTH4LN019N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1687.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTH4LN019N65S3H ONSEMI

Description: ONSEMI - NTH4LN019N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTH4LN019N65S3H за ціною від 1129.08 грн до 2044.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTH4LN019N65S3H NTH4LN019N65S3H Виробник : onsemi nth4ln019n65s3h-d.pdf Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.3mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14.3mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 282 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15993 pF @ 400 V
на замовлення 1209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1869.12 грн
30+1315.51 грн
120+1141.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN019N65S3H NTH4LN019N65S3H Виробник : onsemi NTH4LN019N65S3H-D.PDF MOSFETs SUPERFET3 FAST 19MOHM TO-247-4
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2044.33 грн
10+1683.06 грн
120+1129.84 грн
510+1129.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN019N65S3H NTH4LN019N65S3H Виробник : ON Semiconductor nth4ln019n65s3h-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 75A Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN019N65S3H NTH4LN019N65S3H Виробник : ON Semiconductor nth4ln019n65s3h-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN019N65S3H NTH4LN019N65S3H Виробник : ON Semiconductor nth4ln019n65s3h-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.