NTH4LN019N65S3H ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4LN019N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1467.19 грн |
| 10+ | 1408.18 грн |
| 25+ | 1305.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTH4LN019N65S3H ONSEMI
Description: ONSEMI - NTH4LN019N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NTH4LN019N65S3H за ціною від 1072.82 грн до 1813.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTH4LN019N65S3H | Виробник : onsemi |
MOSFET SUPERFET3 FAST, 19MOHM, TO-247-4 |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTH4LN019N65S3H | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 75A Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
NTH4LN019N65S3H | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
NTH4LN019N65S3H | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
NTH4LN019N65S3H | Виробник : onsemi |
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.3mOhm @ 37.5A, 10V Power Dissipation (Max): 625W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14.3mA Supplier Device Package: TO-247-4 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 282 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15993 pF @ 400 V |
товар відсутній |