Продукція > ONSEMI > NTH4LN040N65S3H
NTH4LN040N65S3H

NTH4LN040N65S3H ONSEMI

3409756.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTH4LN040N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 62 A, 0.032 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 379W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FAST
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+720.47 грн
5+621.95 грн
10+522.58 грн
50+472.52 грн
100+423.69 грн
250+411.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTH4LN040N65S3H ONSEMI

Description: ONSEMI - NTH4LN040N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 62 A, 0.032 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 62A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 379W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III FAST, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTH4LN040N65S3H за ціною від 533.81 грн до 952.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTH4LN040N65S3H NTH4LN040N65S3H Виробник : onsemi NTH4LN040N65S3H-D.PDF MOSFETs SUPERFET3 FAST 40MOHM TO-247-4
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+877.59 грн
10+627.05 грн
120+535.34 грн
510+533.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN040N65S3H NTH4LN040N65S3H Виробник : onsemi nth4ln040n65s3h-d.pdf Description: NTH4LN040N65S3H
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 379W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 6.8mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6513 pF @ 400 V
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+952.48 грн
10+722.87 грн
30+665.93 грн
120+577.29 грн
270+556.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN040N65S3H NTH4LN040N65S3H Виробник : ON Semiconductor nth4ln040n65s3h-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 62A Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN040N65S3H Виробник : ONSEMI nth4ln040n65s3h-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 62A; Idm: 174A; 379W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 379W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Gate charge: 132nC
Kind of package: tube
Drain current: 62A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 174A
Drain-source voltage: 650V
On-state resistance: 40mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.