
NTH4LN040N65S3H ONSEMI

Description: ONSEMI - NTH4LN040N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 62 A, 0.032 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 379W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FAST
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 559.84 грн |
5+ | 541.73 грн |
10+ | 524.44 грн |
50+ | 470.16 грн |
100+ | 419.18 грн |
250+ | 403.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTH4LN040N65S3H ONSEMI
Description: ONSEMI - NTH4LN040N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 62 A, 0.032 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 62A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 379W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III FAST, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTH4LN040N65S3H за ціною від 505.33 грн до 836.76 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTH4LN040N65S3H | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTH4LN040N65S3H | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 379W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 6.8mA Supplier Device Package: TO-247-4 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6513 pF @ 400 V |
на замовлення 367 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTH4LN040N65S3H | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
NTH4LN040N65S3H | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |