
NTH4LN067N65S3H ON Semiconductor
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 290.39 грн |
10+ | 283.99 грн |
100+ | 271.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTH4LN067N65S3H ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTH4LN067N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 266W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pins, Produktpalette: SUPERFET III, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NTH4LN067N65S3H за ціною від 291.45 грн до 561.69 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTH4LN067N65S3H | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
NTH4LN067N65S3H | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 266W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: SUPERFET III productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
NTH4LN067N65S3H | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 266W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA Supplier Device Package: TO-247-4 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 400 V |
на замовлення 203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
NTH4LN067N65S3H | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 377 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
NTH4LN067N65S3H | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
NTH4LN067N65S3H | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||
![]() |
NTH4LN067N65S3H | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
NTH4LN067N65S3H | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
NTH4LN067N65S3H | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |