Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTH4LN067N65S3H
NTH4LN067N65S3H

NTH4LN067N65S3H ON Semiconductor

nth4ln067n65s3h-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+362.58 грн
10+354.59 грн
100+338.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTH4LN067N65S3H ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTH4LN067N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 266W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTH4LN067N65S3H за ціною від 338.41 грн до 727.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTH4LN067N65S3H NTH4LN067N65S3H ON Semiconductor nth4ln067n65s3h-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+362.58 грн
40+354.59 грн
100+338.41 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN067N65S3H NTH4LN067N65S3H onsemi nth4ln067n65s3h-d.pdf Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 400 V
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+727.32 грн
30+416.22 грн
120+353.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN067N65S3H NTH4LN067N65S3H onsemi nth4ln067n65s3h-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 FAST 67MOHM TO-247-4
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN067N65S3H NTH4LN067N65S3H ONSEMI nth4ln067n65s3h-d.pdf Description: ONSEMI - NTH4LN067N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 266W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN067N65S3H ONN nth4ln067n65s3h-d.pdf
на замовлення 435 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN067N65S3H nth4ln067n65s3h-d.pdf
NTH4LN067N65S3H
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
39+362.58 грн
40+354.59 грн
100+338.41 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN067N65S3H nth4ln067n65s3h-d.pdf
NTH4LN067N65S3H
Виробник: onsemi
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 400 V
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+727.32 грн
30+416.22 грн
120+353.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN067N65S3H nth4ln067n65s3h-d.pdf
NTH4LN067N65S3H
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 FAST 67MOHM TO-247-4
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN067N65S3H nth4ln067n65s3h-d.pdf
NTH4LN067N65S3H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTH4LN067N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 266W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN067N65S3H nth4ln067n65s3h-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 435 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.