Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTHC5513T1G
NTHC5513T1G

NTHC5513T1G ON Semiconductor

nthc5513-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.9A/2.2A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTHC5513T1G ON Semiconductor

Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.2A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: ChipFET™, Part Status: Last Time Buy.

Інші пропозиції NTHC5513T1G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTHC5513T1G Виробник : ON nthc5513-d.pdf 07+ SOT23-6
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHC5513T1G Виробник : ON nthc5513-d.pdf 09+
на замовлення 33018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHC5513T1G Виробник : ON nthc5513-d.pdf SOT23-8
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHC5513T1G NTHC5513T1G Виробник : ON Semiconductor nthc5513-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.9A/2.2A 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHC5513T1G Виробник : ONSEMI nthc5513-d.pdf NTHC5513T1G Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHC5513T1G NTHC5513T1G Виробник : onsemi nthc5513-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Last Time Buy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHC5513T1G NTHC5513T1G Виробник : onsemi NTHC5513_D-2318811.pdf MOSFET 20V +3.9A/-3A Complementary
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.