Технічний опис NTHD2102PT1G ON
Description: MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 8V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715pF @ 6.4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3.4A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 2.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: ChipFET™.
Інші пропозиції NTHD2102PT1G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| NTHD2102PT1G | Виробник : ON |
 09+ |
на замовлення 2210 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| NTHD2102PT1G | Виробник : ON |
SOT23-8 |
на замовлення 13810 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
NTHD2102PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 8V 3.4A 8-Pin Chip FET T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
NTHD2102PT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 8V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715pF @ 6.4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 2.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ |
товару немає в наявності |
|
 |
NTHD2102PT1G | Виробник : onsemi |
MOSFET -8V -4.6A P-Channel |
товару немає в наявності |