Продукція > ON > NTHD3100CT1

NTHD3100CT1 ON


nthd3100c-d.pdf Виробник: ON
07+
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTHD3100CT1 ON

Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 3.2A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: ChipFET™.

Інші пропозиції NTHD3100CT1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTHD3100CT1 Виробник : ON nthd3100c-d.pdf 1206-8
на замовлення 2351 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3100CT1 NTHD3100CT1 Виробник : onsemi nthd3100c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3100CT1 NTHD3100CT1 Виробник : onsemi NTHD3100C_D-2318875.pdf MOSFETs Complementary ChipFET Power MOSFET 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.