Продукція > ONSEMI > NTHD3100CT1G
NTHD3100CT1G

NTHD3100CT1G onsemi

nthd3100c-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+31.15 грн
6000+27.89 грн
9000+27.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTHD3100CT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTHD3100CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.064 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.064ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: ChipFET, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTHD3100CT1G за ціною від 27.17 грн до 117.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTHD3100CT1G NTHD3100CT1G Виробник : ONSEMI 704146.pdf Description: ONSEMI - NTHD3100CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.064 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.064ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+51.81 грн
500+38.59 грн
1500+31.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3100CT1G NTHD3100CT1G Виробник : onsemi NTHD3100C_D-2318875.pdf MOSFETs 20V +3.9A/-4.4A Complementary
на замовлення 17970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+80.20 грн
10+63.00 грн
100+43.47 грн
500+36.75 грн
1000+29.58 грн
3000+28.30 грн
6000+27.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3100CT1G NTHD3100CT1G Виробник : ONSEMI 704146.pdf Description: ONSEMI - NTHD3100CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.064 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.064ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+115.13 грн
50+74.75 грн
100+51.81 грн
500+38.59 грн
1500+31.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3100CT1G NTHD3100CT1G Виробник : onsemi nthd3100c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 10424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.54 грн
10+71.53 грн
100+47.71 грн
500+35.16 грн
1000+32.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3100CT1G Виробник : ONSEMI nthd3100c-d.pdf NTHD3100CT1G Multi channel transistors
на замовлення 2125 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.10 грн
25+45.84 грн
67+43.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3100CT1G NTHD3100CT1G Виробник : ON Semiconductor nthd3100c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.9A/3.2A 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3100CT1G NTHD3100CT1G Виробник : ON Semiconductor nthd3100c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.9A/3.2A 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3100CT1G NTHD3100CT1G Виробник : ON Semiconductor nthd3100c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.9A/3.2A 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.