Продукція > ONSEMI > NTHD3101FT1G
NTHD3101FT1G

NTHD3101FT1G onsemi

nthd3101f-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V
на замовлення 2383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+85.74 грн
10+ 67.63 грн
100+ 52.6 грн
500+ 41.84 грн
1000+ 34.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTHD3101FT1G onsemi

Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Lead, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.2A, 4.5V, FET Feature: Schottky Diode (Isolated), Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: ChipFET™, Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V.

Інші пропозиції NTHD3101FT1G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTHD3101FT1G NTHD3101FT1G Виробник : ON Semiconductor NTHD3101F-D-1813747.pdf MOSFET -20V -4.4A P-Channel w/4.1A Schottky
на замовлення 7019 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTHD3101FT1G Виробник : ON nthd3101f-d.pdf
на замовлення 2838 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD3101FT1G Виробник : ON nthd3101f-d.pdf SOT23-8
на замовлення 41422 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD3101FT1G Виробник : ON nthd3101f-d.pdf SOT-8
на замовлення 4102 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD3101FT1G Виробник : ONROHS nthd3101f-d.pdf
на замовлення 25888 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD3101FT1G Виробник : ONS nthd3101f-d.pdf 08+
на замовлення 21500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD3101FT1G Виробник : ON Semiconductor nthd3101f-d.pdf
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD3101FT1G NTHD3101FT1G Виробник : ON Semiconductor nthd3101f-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.2A 8-Pin Chip FET T/R
товар відсутній
NTHD3101FT1G Виробник : ONSEMI nthd3101f-d.pdf NTHD3101FT1G SMD P channel transistors
товар відсутній
NTHD3101FT1G NTHD3101FT1G Виробник : onsemi nthd3101f-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V
товар відсутній