на замовлення 50740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 84.55 грн |
| 10+ | 68.06 грн |
| 100+ | 46.05 грн |
| 500+ | 39.10 грн |
| 1000+ | 31.85 грн |
| 3000+ | 29.94 грн |
| 6000+ | 28.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTHD3102CT1G onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 20V 4A CHIPFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.1A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.4A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: ChipFET™, Part Status: Active.
Інші пропозиції NTHD3102CT1G за ціною від 95.00 грн до 95.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTHD3102CT1G | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N/P-CH 20V 4A CHIPFETPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ Part Status: Active |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| NTHD3102CT1G |
|
на замовлення 138000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||
 |
NTHD3102CT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 8-Pin Chip FET T/R |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
NTHD3102CT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 4A CHIPFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ Part Status: Active |
товару немає в наявності |