NTHD4102PT1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 28.86 грн |
| 6000+ | 25.84 грн |
| 9000+ | 25.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTHD4102PT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTHD4102PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.064 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.064ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: ChipFET, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції NTHD4102PT1G за ціною від 26.71 грн до 108.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTHD4102PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.9A 8-Pin Chip FET T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTHD4102PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.9A 8-Pin Chip FET T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTHD4102PT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTHD4102PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.064 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.064ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: ChipFET Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 8445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTHD4102PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.9A 8-Pin Chip FET T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTHD4102PT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTHD4102PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.064 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.064ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: ChipFET Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 8445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTHD4102PT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs -20V -4.1A Dual P-Channel |
на замовлення 7828 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTHD4102PT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ Part Status: Active |
на замовлення 37511 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NTHD4102PT1G | Виробник : ON |
SOT-8 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| NTHD4102PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 7 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
NTHD4102PT1G Код товару: 109267
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові P-канальні |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||||
|
|
NTHD4102PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.9A 8-Pin Chip FET T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| NTHD4102PT1G | Виробник : ONSEMI |
NTHD4102PT1G SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |