Продукція > ONSEMI > NTHD4102PT1G
NTHD4102PT1G

NTHD4102PT1G onsemi

nthd4102p-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 41500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+29.16 грн
6000+26.11 грн
9000+25.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTHD4102PT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTHD4102PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.064 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.064ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: ChipFET, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції NTHD4102PT1G за ціною від 27.67 грн до 110.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTHD4102PT1G NTHD4102PT1G Виробник : ON Semiconductor nthd4102p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.9A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+31.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4102PT1G NTHD4102PT1G Виробник : ON Semiconductor nthd4102p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.9A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+35.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4102PT1G NTHD4102PT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013670025-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTHD4102PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.064 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.064ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+50.30 грн
500+32.30 грн
1500+29.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4102PT1G NTHD4102PT1G Виробник : ON Semiconductor nthd4102p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.9A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+55.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4102PT1G NTHD4102PT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013670025-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTHD4102PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.064 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.064ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+70.17 грн
50+60.28 грн
100+50.30 грн
500+32.30 грн
1500+29.23 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4102PT1G NTHD4102PT1G Виробник : onsemi NTHD4102P_D-2318934.pdf MOSFETs -20V -4.1A Dual P-Channel
на замовлення 7828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+81.67 грн
10+65.99 грн
100+44.69 грн
500+37.85 грн
1000+30.86 грн
3000+28.96 грн
6000+27.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4102PT1G NTHD4102PT1G Виробник : onsemi nthd4102p-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 41673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.17 грн
10+66.98 грн
100+44.66 грн
500+32.92 грн
1000+30.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4102PT1G Виробник : ON nthd4102p-d.pdf SOT-8
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4102PT1G Виробник : ON Semiconductor nthd4102p-d.pdf
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4102PT1G NTHD4102PT1G
Код товару: 109267
Додати до обраних Обраний товар

nthd4102p-d.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4102PT1G NTHD4102PT1G Виробник : ON Semiconductor nthd4102p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.9A 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.