
NTHD4502NT1 onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.2A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 640mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
на замовлення 231000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2049+ | 10.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTHD4502NT1 onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.2A CHIPFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 640mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: ChipFET™.
Інші пропозиції NTHD4502NT1 за ціною від 12.84 грн до 12.84 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NTHD4502NT1 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 124515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
NTHD4502NT1 |
![]() |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||
![]() |
NTHD4502NT1 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 640mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ |
товару немає в наявності |