Інші пропозиції NTHD4508NT1G за ціною від 30.31 грн до 92.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTHD4508NT1G | onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 3A CHIPFETPackaging: Bulk Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.13W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ |
на замовлення 17635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTHD4508NT1G | onsemi |
MOSFET 20V 4.1A Dual N-Channel |
на замовлення 16499 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| NTHD4508NT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 3A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Description: MOSFET 2N-CH 20V 3A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
на замовлення 17635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 594+ | 36.97 грн |
| NTHD4508NT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFET 20V 4.1A Dual N-Channel
MOSFET 20V 4.1A Dual N-Channel
на замовлення 16499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 92.10 грн |
| 100+ | 84.30 грн |
| 500+ | 61.88 грн |
| 1000+ | 50.40 грн |
| 3000+ | 33.13 грн |
| 6000+ | 31.44 грн |
| 9000+ | 30.31 грн |



