Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTHD4508NT1G
NTHD4508NT1G

NTHD4508NT1G ON Semiconductor

nthd4508n-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+35.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTHD4508NT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTHD4508NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.1 A, 4.1 A, 0.06 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: ChipFET, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції NTHD4508NT1G за ціною від 31.56 грн до 105.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTHD4508NT1G NTHD4508NT1G Виробник : onsemi nthd4508n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 3A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
на замовлення 17635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
594+37.02 грн
Мінімальне замовлення: 594
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4508NT1G NTHD4508NT1G Виробник : ON Semiconductor nthd4508n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 2345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+51.52 грн
100+43.47 грн
500+38.57 грн
1000+31.90 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4508NT1G NTHD4508NT1G Виробник : ON Semiconductor nthd4508n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 2328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
220+55.48 грн
261+46.80 грн
500+41.53 грн
1000+34.35 грн
Мінімальне замовлення: 220
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4508NT1G NTHD4508NT1G Виробник : onsemi NTHD4508N_D-2318624.pdf MOSFET 20V 4.1A Dual N-Channel
на замовлення 16499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.90 грн
100+87.78 грн
500+64.44 грн
1000+52.47 грн
3000+34.49 грн
6000+32.73 грн
9000+31.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4508NT1G NTHD4508NT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013300598-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTHD4508NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.1 A, 4.1 A, 0.06 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+105.38 грн
11+81.01 грн
100+58.62 грн
500+46.18 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4508NT1G NTHD4508NT1G Виробник : ON Semiconductor nthd4508n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4508NT1G
Код товару: 133952
Додати до обраних Обраний товар

nthd4508n-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4508NT1G Виробник : ONSEMI nthd4508n-d.pdf NTHD4508NT1G Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4508NT1G NTHD4508NT1G Виробник : onsemi nthd4508n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 3A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4508NT1G NTHD4508NT1G Виробник : onsemi nthd4508n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 3A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.