Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > NTHD4508NT1G

NTHD4508NT1G

nthd4508n-d.pdf
Код товару: 133952
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції NTHD4508NT1G за ціною від 36.05 грн до 64.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTHD4508NT1G NTHD4508NT1G onsemi nthd4508n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 3A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
на замовлення 17635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
594+36.05 грн
Мінімальне замовлення: 594 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4508NT1G NTHD4508NT1G ON Semiconductor nthd4508n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 2328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
220+64.32 грн
261+54.27 грн
500+48.15 грн
1000+39.83 грн
Мінімальне замовлення: 220 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4508NT1G NTHD4508NT1G ON Semiconductor nthd4508n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 2345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+64.33 грн
100+54.27 грн
500+48.16 грн
1000+39.84 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4508NT1G NTHD4508NT1G onsemi NTHD4508N_D-2318624.pdf MOSFET 20V 4.1A Dual N-Channel
на замовлення 16499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4508NT1G NTHD4508NT1G ONSEMI ONSM-S-A0013300598-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTHD4508NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.1 A, 4.1 A, 0.06 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4508NT1G NTHD4508NT1G ON Semiconductor nthd4508n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4508NT1G nthd4508n-d.pdf
NTHD4508NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 3A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
на замовлення 17635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
594+36.05 грн
Мінімальне замовлення: 594 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4508NT1G nthd4508n-d.pdf
NTHD4508NT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 2328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
220+64.32 грн
261+54.27 грн
500+48.15 грн
1000+39.83 грн
Мінімальне замовлення: 220 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4508NT1G nthd4508n-d.pdf
NTHD4508NT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 2345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+64.33 грн
100+54.27 грн
500+48.16 грн
1000+39.84 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4508NT1G NTHD4508N_D-2318624.pdf
NTHD4508NT1G
Виробник: onsemi
MOSFET 20V 4.1A Dual N-Channel
на замовлення 16499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4508NT1G ONSM-S-A0013300598-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTHD4508NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTHD4508NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.1 A, 4.1 A, 0.06 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4508NT1G nthd4508n-d.pdf
NTHD4508NT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.