Продукція > ONSEMI > NTHD4N02FT1
NTHD4N02FT1

NTHD4N02FT1 onsemi

nthd4n02f-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 910mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1268+16.99 грн
Мінімальне замовлення: 1268
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTHD4N02FT1 onsemi

Description: MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V, FET Feature: Schottky Diode (Isolated), Power Dissipation (Max): 910mW (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: ChipFET™, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V.

Інші пропозиції NTHD4N02FT1 за ціною від 20.66 грн до 20.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTHD4N02FT1 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013300251-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTHD4N02FT1 - NTHD4N02FT1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+20.66 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4N02FT1 Виробник : ON nthd4n02f-d.pdf 1206-8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4N02FT1 Виробник : Onsemi nthd4n02f-d.pdf SSOP-8
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4N02FT1 NTHD4N02FT1 Виробник : onsemi nthd4n02f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 910mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.