NTHD4N02FT1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 910mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTHD4N02FT1G onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Supplier Device Package: ChipFET™, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 910mW (Tj), FET Feature: Schottky Diode (Isolated), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції NTHD4N02FT1G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| NTHD4N02FT1G | ON Semiconductor |
|
на замовлення 2750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NTHD4N02FT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)