| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 121.70 грн |
| 10+ | 98.08 грн |
| 100+ | 66.18 грн |
| 500+ | 56.53 грн |
| 1000+ | 46.03 грн |
| 3000+ | 42.64 грн |
| 6000+ | 41.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTHD4P02FT1G onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.2A, 4.5V, FET Feature: Schottky Diode (Isolated), Power Dissipation (Max): 1.1W (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: ChipFET™, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V.
Інші пропозиції NTHD4P02FT1G за ціною від 42.75 грн до 148.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTHD4P02FT1G | onsemi |
 Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFETPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.2A, 4.5V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 1.1W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V |
на замовлення 1720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| NTHD4P02FT1G | ON |
SOT23-8 |
на замовлення 9678 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NTHD4P02FT1G |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 148.28 грн |
| 10+ | 91.55 грн |
| 100+ | 62.18 грн |
| 500+ | 46.55 грн |
| 1000+ | 42.75 грн |
| NTHD4P02FT1G |
|
Виробник: ON
SOT23-8
SOT23-8
на замовлення 9678 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)