NTHD4P02FT1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
на замовлення 2924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 109.77 грн |
| 10+ | 86.37 грн |
| 100+ | 67.16 грн |
| 500+ | 53.42 грн |
| 1000+ | 43.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTHD4P02FT1G onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Lead, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.2A, 4.5V, FET Feature: Schottky Diode (Isolated), Power Dissipation (Max): 1.1W (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: ChipFET™, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V.
Інші пропозиції NTHD4P02FT1G за ціною від 39.12 грн до 115.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTHD4P02FT1G | Виробник : onsemi |
 MOSFET -20V -3A P-Channel w/3A Schottky |
на замовлення 2940 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NTHD4P02FT1G | Виробник : ON | 05NOPB |
на замовлення 2957 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| NTHD4P02FT1G | Виробник : ON | 09+ |
на замовлення 1788 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| NTHD4P02FT1G | Виробник : ON | SOT23-8 |
на замовлення 9678 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| NTHD4P02FT1G | Виробник : ON Semiconductor |
на замовлення 780 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
 |
NTHD4P02FT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-Pin Chip FET T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
NTHD4P02FT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.2A, 4.5V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 1.1W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V |
товар відсутній |