Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTHD4P02FT1G
NTHD4P02FT1G

NTHD4P02FT1G ON Semiconductor

nthd4p02f-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET -20V, -3A, Single P-Channel with 3A Schottky Barrier Diode 8-Pin
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.40 грн
6000+15.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTHD4P02FT1G ON Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.2A, 4.5V, FET Feature: Schottky Diode (Isolated), Power Dissipation (Max): 1.1W (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: ChipFET™, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V.

Інші пропозиції NTHD4P02FT1G за ціною від 16.50 грн до 130.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTHD4P02FT1G NTHD4P02FT1G Виробник : ON Semiconductor nthd4p02f-d.pdf Trans MOSFET -20V, -3A, Single P-Channel with 3A Schottky Barrier Diode 8-Pin
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.59 грн
6000+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4P02FT1G NTHD4P02FT1G Виробник : ON Semiconductor nthd4p02f-d.pdf Trans MOSFET -20V, -3A, Single P-Channel with 3A Schottky Barrier Diode 8-Pin
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+38.86 грн
17+36.92 грн
100+33.94 грн
500+30.26 грн
1000+26.64 грн
3000+25.08 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4P02FT1G NTHD4P02FT1G Виробник : onsemi NTHD4P02F_D-2318876.pdf MOSFET -20V -3A P-Channel w/3A Schottky
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.72 грн
10+102.12 грн
100+68.91 грн
500+58.86 грн
1000+47.92 грн
3000+44.40 грн
6000+43.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4P02FT1G NTHD4P02FT1G Виробник : onsemi Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
на замовлення 2872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.20 грн
10+84.48 грн
100+59.80 грн
500+45.78 грн
1000+42.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4P02FT1G Виробник : ON 05NOPB
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4P02FT1G Виробник : ON 09+
на замовлення 1788 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4P02FT1G Виробник : ON SOT23-8
на замовлення 9678 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4P02FT1G Виробник : ON Semiconductor
на замовлення 780 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4P02FT1G NTHD4P02FT1G Виробник : ON Semiconductor nthd4p02f.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4P02FT1G NTHD4P02FT1G Виробник : onsemi Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.