
NTHD5903T1G onsemi

Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1025+ | 20.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTHD5903T1G onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A CHIPFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.2A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA, Supplier Device Package: ChipFET™.
Інші пропозиції NTHD5903T1G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
NTHD5903T1G |
![]() |
на замовлення 341 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
NTHD5903T1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
![]() |
NTHD5903T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
NTHD5903T1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ |
товару немає в наявності |