
NTHD5904T1 onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.1A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1402+ | 14.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTHD5904T1 onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.1A CHIPFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA, Supplier Device Package: ChipFET™.
Інші пропозиції NTHD5904T1 за ціною від 18.77 грн до 18.77 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NTHD5904T1 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
NTHD5904T1 | Виробник : ON |
![]() |
на замовлення 2700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
NTHD5904T1 | Виробник : ON |
![]() |
на замовлення 2700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
![]() |
NTHD5904T1 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ |
товару немає в наявності |