Технічний опис NTHL015N065SC1 ON Semiconductor
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 163A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V, Power Dissipation (Max): 643W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +22V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V.
Інші пропозиції NTHL015N065SC1 за ціною від 1110.12 грн до 2394.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTHL015N065SC1 | onsemi |
 Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 163A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V Power Dissipation (Max): 643W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V |
на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
NTHL015N065SC1 | onsemi |
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
NTHL015N065SC1 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 357 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
NTHL015N065SC1 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 972 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
NTHL015N065SC1 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 15471 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
NTHL015N065SC1 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 15471 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
NTHL015N065SC1 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NTHL015N065SC1 | ONN |
|
на замовлення 450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NTHL015N065SC1 |
|
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 643W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 643W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1858.23 грн |
| 30+ | 1159.68 грн |
| 120+ | 1110.12 грн |
| NTHL015N065SC1 |
|
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1920.62 грн |
| 10+ | 1365.63 грн |
| NTHL015N065SC1 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 2175.74 грн |
| 100+ | 2067.31 грн |
| NTHL015N065SC1 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 2175.74 грн |
| 100+ | 2067.31 грн |
| 500+ | 1957.70 грн |
| NTHL015N065SC1 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 15471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2394.02 грн |
| 10+ | 1617.07 грн |
| NTHL015N065SC1 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 15471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 2394.02 грн |
| 10+ | 1617.07 грн |
| NTHL015N065SC1 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTHL015N065SC1 |
|
Виробник: ONN
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)