Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTHL015N065SC1
NTHL015N065SC1

NTHL015N065SC1 ON Semiconductor

nthl015n065sc1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 15540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+1361.35 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTHL015N065SC1 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTHL015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 163 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 163A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.63V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 643W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTHL015N065SC1 за ціною від 1061.48 грн до 2094.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTHL015N065SC1 NTHL015N065SC1 Виробник : ON Semiconductor nthl015n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+1458.59 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL015N065SC1 NTHL015N065SC1 Виробник : ON Semiconductor nthl015n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+2019.85 грн
25+1979.43 грн
100+1898.59 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL015N065SC1 NTHL015N065SC1 Виробник : ON Semiconductor nthl015n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+2019.85 грн
25+1979.43 грн
100+1898.59 грн
500+1752.84 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL015N065SC1 NTHL015N065SC1 Виробник : onsemi nthl015n065sc1-d.pdf Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 643W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2051.58 грн
30+1279.89 грн
120+1225.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL015N065SC1 NTHL015N065SC1 Виробник : ONSEMI nthl015n065sc1-d.pdf Description: ONSEMI - NTHL015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 163 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 163A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.63V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 643W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2059.64 грн
5+1750.47 грн
10+1695.61 грн
50+1150.75 грн
100+1061.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL015N065SC1 NTHL015N065SC1 Виробник : onsemi NTHL015N065SC1-D.PDF SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 12 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2094.92 грн
10+2064.10 грн
30+1233.59 грн
120+1225.82 грн
270+1218.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL015N065SC1 Виробник : ON Semiconductor nthl015n065sc1-d.pdf NTHL015N065SC1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL015N065SC1 NTHL015N065SC1 Виробник : ON Semiconductor nthl015n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL015N065SC1 Виробник : ONSEMI nthl015n065sc1-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 115A; Idm: 484A; 321W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 115A
Pulsed drain current: 484A
Power dissipation: 321W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 283nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.