NTHL015N065SC1 ON Semiconductor


nthl015n065sc1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 15540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+1544.79 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTHL015N065SC1 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTHL015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 163 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 163A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.63V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 643W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTHL015N065SC1 за ціною від 1120.38 грн до 2388.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTHL015N065SC1 NTHL015N065SC1 ON Semiconductor nthl015n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+1677.45 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL015N065SC1 NTHL015N065SC1 onsemi nthl015n065sc1-d.pdf Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 643W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1875.40 грн
30+1170.40 грн
120+1120.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL015N065SC1 NTHL015N065SC1 ON Semiconductor nthl015n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+2170.90 грн
100+2062.70 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL015N065SC1 NTHL015N065SC1 ON Semiconductor nthl015n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+2170.90 грн
100+2062.70 грн
500+1953.34 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL015N065SC1 NTHL015N065SC1 ON Semiconductor nthl015n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 15471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2388.69 грн
10+1613.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL015N065SC1 NTHL015N065SC1 ON Semiconductor nthl015n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 15471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2388.69 грн
10+1613.47 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL015N065SC1 NTHL015N065SC1 onsemi nthl015n065sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL015N065SC1 NTHL015N065SC1 ONSEMI nthl015n065sc1-d.pdf Description: ONSEMI - NTHL015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 163 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 163A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.63V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 643W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL015N065SC1 NTHL015N065SC1 ON Semiconductor nthl015n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL015N065SC1 ONN nthl015n065sc1-d.pdf
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL015N065SC1 nthl015n065sc1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
60+1677.45 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL015N065SC1 nthl015n065sc1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 643W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1875.40 грн
30+1170.40 грн
120+1120.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL015N065SC1 nthl015n065sc1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+2170.90 грн
100+2062.70 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL015N065SC1 nthl015n065sc1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+2170.90 грн
100+2062.70 грн
500+1953.34 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL015N065SC1 nthl015n065sc1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 15471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2388.69 грн
10+1613.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL015N065SC1 nthl015n065sc1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 15471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+2388.69 грн
10+1613.47 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL015N065SC1 nthl015n065sc1-d.pdf
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL015N065SC1 nthl015n065sc1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTHL015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 163 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 163A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.63V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 643W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL015N065SC1 nthl015n065sc1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL015N065SC1 nthl015n065sc1-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.