
NTHL019N65S3H ONSEMI

Description: ONSEMI - NTHL019N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.015 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1247.29 грн |
5+ | 1060.40 грн |
10+ | 1053.82 грн |
50+ | 972.43 грн |
100+ | 891.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTHL019N65S3H ONSEMI
Description: ONSEMI - NTHL019N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.015 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625W, Bauform - Transistor: TO-247LL, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NTHL019N65S3H за ціною від 1147.14 грн до 1374.23 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTHL019N65S3H | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 840 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
NTHL019N65S3H | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.3mOhm @ 37.5A, 10V Power Dissipation (Max): 625W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14.3mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 282 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15993 pF @ 400 V |
на замовлення 430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
NTHL019N65S3H | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2095 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
![]() |
NTHL019N65S3H | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||
![]() |
NTHL019N65S3H | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||
NTHL019N65S3H | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |