на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1780.52 грн |
10+ | 1559.31 грн |
25+ | 1264.46 грн |
50+ | 1225.74 грн |
100+ | 1185.68 грн |
250+ | 1160.31 грн |
450+ | 1018.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTHL019N65S3H onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.3mOhm @ 37.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 625W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14.3mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Not For New Designs, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 282 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15993 pF @ 400 V.
Інші пропозиції NTHL019N65S3H
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
NTHL019N65S3H | Виробник : ON Semiconductor |
на замовлення 2095 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
NTHL019N65S3H | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||
NTHL019N65S3H | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||
NTHL019N65S3H | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||
NTHL019N65S3H | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 73A; Idm: 328A; 625W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 73A Pulsed drain current: 328A Power dissipation: 625W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 15mΩ Mounting: THT Gate charge: 282nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
NTHL019N65S3H | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.3mOhm @ 37.5A, 10V Power Dissipation (Max): 625W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14.3mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 282 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15993 pF @ 400 V |
товар відсутній |
||
NTHL019N65S3H | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 73A; Idm: 328A; 625W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 73A Pulsed drain current: 328A Power dissipation: 625W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 15mΩ Mounting: THT Gate charge: 282nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |