Продукція > ONSEMI > NTHL020N090SC1
NTHL020N090SC1

NTHL020N090SC1 onsemi

nthl020n090sc1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 900V 118A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V
Power Dissipation (Max): 503W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V
на замовлення 3993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2007.58 грн
30+1252.78 грн
120+1199.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTHL020N090SC1 onsemi

Description: ONSEMI - NTHL020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 118 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 118A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 503W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTHL020N090SC1 за ціною від 1192.60 грн до 2282.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTHL020N090SC1 NTHL020N090SC1 Виробник : onsemi NTHL020N090SC1_D-2318734.pdf SiC MOSFETs 20MOHM 900V
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2092.32 грн
30+1491.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL020N090SC1 NTHL020N090SC1 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0017607183-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTHL020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 118 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 503W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2282.77 грн
5+2168.25 грн
10+2128.94 грн
50+1318.18 грн
100+1192.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL020N090SC1 Виробник : Aptina Imaging nthl020n090sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+2011.70 грн
25+1971.56 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL020N090SC1 NTHL020N090SC1 Виробник : ON Semiconductor nthl020n090sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL020N090SC1 NTHL020N090SC1 Виробник : ON Semiconductor nthl020n090sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL020N090SC1 NTHL020N090SC1 Виробник : ON Semiconductor nthl020n090sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.