на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1913.06 грн |
| 10+ | 1572.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTHL020N090SC1 onsemi
Description: ONSEMI - NTHL020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 118 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 118A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 503W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTHL020N090SC1 за ціною від 1119.59 грн до 2073.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTHL020N090SC1 | Виробник : onsemi |
 Description: SICFET N-CH 900V 118A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V Power Dissipation (Max): 503W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +19V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V |
на замовлення 4255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NTHL020N090SC1 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTHL020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 118 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 118A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 503W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 817 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| NTHL020N090SC1 | Виробник : Aptina Imaging |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
 |
NTHL020N090SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
NTHL020N090SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
NTHL020N090SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
NTHL020N090SC1 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 83A; Idm: 427A; 251W Kind of package: tube Technology: SiC Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -10...19V Gate charge: 196nC On-state resistance: 28mΩ Power dissipation: 251W Drain current: 83A Pulsed drain current: 427A Drain-source voltage: 900V Case: TO247-3 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |