Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTHL020N120SC1
NTHL020N120SC1

NTHL020N120SC1 ON Semiconductor

nthl020n120sc1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2143.65 грн
10+2121.80 грн
30+1721.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTHL020N120SC1 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTHL020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 103 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 103A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 535W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTHL020N120SC1 за ціною від 1576.49 грн до 2368.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTHL020N120SC1 NTHL020N120SC1 Виробник : onsemi nthl020n120sc1-d.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 800 V
на замовлення 4713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2255.45 грн
30+1686.13 грн
120+1680.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL020N120SC1 NTHL020N120SC1 Виробник : ON Semiconductor nthl020n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+2308.55 грн
10+2285.02 грн
30+1854.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL020N120SC1 NTHL020N120SC1 Виробник : ONSEMI nthl020n120sc1-d.pdf Description: ONSEMI - NTHL020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 103 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 535W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2328.28 грн
5+2292.88 грн
10+2257.48 грн
50+1738.45 грн
100+1576.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL020N120SC1 NTHL020N120SC1 Виробник : onsemi nthl020n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs 20MW 1200V
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2368.32 грн
10+2262.75 грн
30+1729.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL020N120SC1 NTHL020N120SC1 Виробник : ON Semiconductor nthl020n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL020N120SC1 NTHL020N120SC1 Виробник : ON Semiconductor nthl020n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL020N120SC1 NTHL020N120SC1 Виробник : ON Semiconductor nthl020n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL020N120SC1 NTHL020N120SC1 Виробник : ON Semiconductor nthl020n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL020N120SC1 NTHL020N120SC1 Виробник : ONSEMI NTHL020N120SC1.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 73A; Idm: 412A; 267W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 73A
Pulsed drain current: 412A
Power dissipation: 267W
Case: TO247-3
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -15...25V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL020N120SC1 NTHL020N120SC1 Виробник : ONSEMI NTHL020N120SC1.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 73A; Idm: 412A; 267W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 73A
Pulsed drain current: 412A
Power dissipation: 267W
Case: TO247-3
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -15...25V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.