Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTHL022N120M3S
NTHL022N120M3S

NTHL022N120M3S ON Semiconductor

nthl022n120m3s-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1053.06 грн
10+875.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTHL022N120M3S ON Semiconductor

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V, Power Dissipation (Max): 352W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 800 V.

Інші пропозиції NTHL022N120M3S за ціною від 777.91 грн до 1473.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTHL022N120M3S NTHL022N120M3S Виробник : onsemi nthl022n120m3s-d.pdf Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 352W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 800 V
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1273.22 грн
10+906.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL022N120M3S NTHL022N120M3S Виробник : onsemi NTHL022N120M3S_D-3150378.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 22MOHM 1200V M3
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1473.10 грн
10+1077.36 грн
270+911.43 грн
510+852.65 грн
1020+777.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL022N120M3S Виробник : Aptina Imaging nthl022n120m3s-d.pdf Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+888.77 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL022N120M3S NTHL022N120M3S Виробник : ON Semiconductor nthl022n120m3s-d.pdf Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL022N120M3S Виробник : ONSEMI nthl022n120m3s-d.pdf NTHL022N120M3S THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.