Продукція > ONSEMI > NTHL022N120M3S
NTHL022N120M3S

NTHL022N120M3S onsemi

NTHL022N120M3S_D-3150378.pdf Виробник: onsemi
MOSFET SIC MOS TO247-3L 22MOHM 1200V M3
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1322.33 грн
10+ 1148.74 грн
25+ 971.6 грн
50+ 917.66 грн
100+ 863.72 грн
250+ 836.41 грн
450+ 782.47 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTHL022N120M3S onsemi

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V, Power Dissipation (Max): 352W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 800 V.

Інші пропозиції NTHL022N120M3S за ціною від 1582.7 грн до 2756.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTHL022N120M3S NTHL022N120M3S Виробник : ON Semiconductor nthl022n120m3s-d.pdf Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2295.51 грн
5+ 2223.98 грн
10+ 2033.95 грн
25+ 1789.22 грн
NTHL022N120M3S NTHL022N120M3S Виробник : onsemi NTHL022N120M3S-D.PDF Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 352W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 800 V
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2353.43 грн
10+ 2013.83 грн
100+ 1761.35 грн
NTHL022N120M3S NTHL022N120M3S Виробник : ON Semiconductor nthl022n120m3s-d.pdf Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+2395.05 грн
10+ 2190.41 грн
25+ 1926.85 грн
60+ 1707.7 грн
120+ 1606.04 грн
270+ 1582.7 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTHL022N120M3S NTHL022N120M3S Виробник : ON Semiconductor nthl022n120m3s-d.pdf Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+2437.5 грн
10+ 2278.71 грн
20+ 2053.25 грн
50+ 1924.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTHL022N120M3S NTHL022N120M3S Виробник : ON Semiconductor nthl022n120m3s-d.pdf Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+2756.77 грн
60+ 2586.11 грн
120+ 2454.08 грн
180+ 2265.91 грн
Мінімальне замовлення: 30
NTHL022N120M3S NTHL022N120M3S Виробник : ON Semiconductor nthl022n120m3s-d.pdf Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
товар відсутній