Технічний опис NTHL022N120M3S ON Semiconductor
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V, Power Dissipation (Max): 352W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 800 V.
Інші пропозиції NTHL022N120M3S за ціною від 902.67 грн до 1422.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTHL022N120M3S | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 89A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
NTHL022N120M3S | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 89A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 384 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
NTHL022N120M3S | onsemi |
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELIPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V Power Dissipation (Max): 352W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 800 V |
на замовлення 187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
NTHL022N120M3S | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 89A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
NTHL022N120M3S | onsemi |
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 22MOHM 1200V M3 |
на замовлення 166 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
| NTHL022N120M3S | ONN |
|
на замовлення 1800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NTHL022N120M3S |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 89A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 89A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1240.63 грн |
| 10+ | 1051.91 грн |
| 30+ | 1030.46 грн |
| NTHL022N120M3S |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 89A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 89A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 1240.63 грн |
| NTHL022N120M3S |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 352W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 800 V
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 352W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 800 V
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1268.52 грн |
| 10+ | 902.67 грн |
| NTHL022N120M3S |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 89A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 89A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 1422.62 грн |
| NTHL022N120M3S |
![]() |
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 22MOHM 1200V M3
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 22MOHM 1200V M3
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NTHL022N120M3S |
![]() |
Виробник: ONN
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)




