Продукція > ONSEMI > NTHL023N065M3S
NTHL023N065M3S

NTHL023N065M3S onsemi

nthl023n065m3s-d.pdf Виробник: onsemi
Description: SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.62V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3LD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70.1 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1782 pF @ 400 V
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+622.22 грн
10+431.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTHL023N065M3S onsemi

Description: SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 18V, Power Dissipation (Max): 245W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.62V @ 10mA, Supplier Device Package: TO-247-3LD, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +22V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70.1 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1782 pF @ 400 V.

Інші пропозиції NTHL023N065M3S за ціною від 372.55 грн до 880.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTHL023N065M3S NTHL023N065M3S Виробник : onsemi NTHL023N065M3S-D.PDF SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S
на замовлення 3364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+880.84 грн
10+679.01 грн
120+430.45 грн
510+400.74 грн
1020+372.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL023N065M3S Виробник : ON Semiconductor nthl023n065m3s-d.pdf SiC MOS TO247-3L 23mohm 650V M3S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL023N065M3S Виробник : ONSEMI nthl023n065m3s-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 49A; Idm: 218A; 131W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 218A
Power dissipation: 131W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -8...22V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.