Продукція > ONSEMI > NTHL023N065M3S

NTHL023N065M3S onsemi

Name: NTHL023N065M3S
Brand: onsemi
SKU: 40772706-4
Price: 904.39 UAH
Availability: InStock

Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S

на замовлення 2710 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	904.39 грн
10+	533.97 грн
100+	425.56 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис NTHL023N065M3S onsemi

Description: SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 18V, Power Dissipation (Max): 245W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.62V @ 10mA, Supplier Device Package: TO-247-3LD, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +22V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70.1 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1782 pF @ 400 V.

Інші пропозиції NTHL023N065M3S

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
NTHL023N065M3S	Виробник : ON Semiconductor	SiC MOS TO247-3L 23mohm 650V M3S	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
NTHL023N065M3S	Виробник : onsemi	Description: SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 18V Power Dissipation (Max): 245W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.62V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247-3LD Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70.1 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1782 pF @ 400 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
NTHL023N065M3S	Виробник : ONSEMI	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 49A; Idm: 218A; 131W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 49A Power dissipation: 131W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -8...22V On-state resistance: 37mΩ Mounting: THT Gate charge: 69nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 218A	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.