Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTHL025N065SC1
NTHL025N065SC1

NTHL025N065SC1 ON Semiconductor

nthl025n065sc1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 99A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1173.24 грн
10+1027.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTHL025N065SC1 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTHL025N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 99 A, 650 V, 0.019 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 99A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 348W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTHL025N065SC1 за ціною від 875.44 грн до 1399.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTHL025N065SC1 NTHL025N065SC1 Виробник : ONSEMI nthl025n065sc1-d.pdf Description: ONSEMI - NTHL025N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 99 A, 650 V, 0.019 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1367.12 грн
5+1219.82 грн
10+1072.53 грн
50+995.13 грн
100+900.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL025N065SC1 NTHL025N065SC1 Виробник : onsemi nthl025n065sc1-d.pdf Description: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 325 V
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1385.23 грн
10+1018.17 грн
450+875.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL025N065SC1 NTHL025N065SC1 Виробник : onsemi nthl025n065sc1-d.pdf SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 19 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L
на замовлення 1391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1399.79 грн
10+1063.05 грн
120+909.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL025N065SC1 Виробник : Aptina Imaging nthl025n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 99A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+958.86 грн
270+923.80 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL025N065SC1 Виробник : Aptina Imaging nthl025n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 99A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+1322.92 грн
25+1296.42 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL025N065SC1 Виробник : Aptina Imaging nthl025n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 99A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+1322.92 грн
25+1296.42 грн
100+1243.42 грн
500+1147.91 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL025N065SC1 Виробник : ON Semiconductor nthl025n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 99A Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL025N065SC1 NTHL025N065SC1 Виробник : ON Semiconductor nthl025n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 99A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL025N065SC1 Виробник : ONSEMI nthl025n065sc1-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 323A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 323A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 164nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL025N065SC1 Виробник : ONSEMI nthl025n065sc1-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 323A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 323A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 164nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.