Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTHL040N120M3S
NTHL040N120M3S

NTHL040N120M3S ON Semiconductor

nthl040n120m3s-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+741.02 грн
10+660.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTHL040N120M3S ON Semiconductor

Description: SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V, Power Dissipation (Max): 231W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V.

Інші пропозиції NTHL040N120M3S за ціною від 366.78 грн до 837.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTHL040N120M3S NTHL040N120M3S Виробник : onsemi nthl040n120m3s-d.pdf Description: SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
на замовлення 204912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+769.09 грн
30+442.10 грн
120+394.86 грн
510+366.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120M3S NTHL040N120M3S Виробник : onsemi NTHL040N120M3S-D.PDF SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+837.44 грн
10+492.50 грн
120+402.49 грн
510+393.39 грн
1020+390.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120M3S Виробник : Aptina Imaging nthl040n120m3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+616.42 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120M3S NTHL040N120M3S Виробник : ON Semiconductor nthl040n120m3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120M3S Виробник : ON Semiconductor nthl040n120m3s-d.pdf NTHL040N120M3S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120M3S Виробник : ONSEMI nthl040n120m3s-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 38A; Idm: 134A; 115W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 134A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120M3S Виробник : ONSEMI nthl040n120m3s-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 38A; Idm: 134A; 115W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 134A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.