NTHL040N120M3S onsemi
Виробник: onsemi
Description: SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
Description: SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
на замовлення 3663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 848.56 грн |
30+ | 661.56 грн |
120+ | 622.64 грн |
510+ | 529.54 грн |
1020+ | 485.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTHL040N120M3S onsemi
Description: SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V, Power Dissipation (Max): 231W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V.
Інші пропозиції NTHL040N120M3S за ціною від 545.44 грн до 963.79 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NTHL040N120M3S | Виробник : onsemi | MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L |
на замовлення 356 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NTHL040N120M3S | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NTHL040N120M3S | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NTHL040N120M3S | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
NTHL040N120M3S | Виробник : ON Semiconductor | NTHL040N120M3S |
товар відсутній |