Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTHL040N120SC1
NTHL040N120SC1

NTHL040N120SC1 ON Semiconductor

nthl040n120sc1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1390.17 грн
10+1323.11 грн
30+970.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTHL040N120SC1 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTHL040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.039 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.97V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 348W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTHL040N120SC1 за ціною від 849.60 грн до 1578.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTHL040N120SC1 NTHL040N120SC1 Виробник : onsemi nthl040n120sc1-d.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 800 V
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1495.69 грн
30+928.96 грн
120+849.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120SC1 NTHL040N120SC1 Виробник : ON Semiconductor nthl040n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+1497.11 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120SC1 NTHL040N120SC1 Виробник : ONSEMI NTHL040N120SC1-D.PDF Description: ONSEMI - NTHL040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.039 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.97V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1525.57 грн
5+1500.04 грн
10+1474.52 грн
50+969.37 грн
100+877.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120SC1 NTHL040N120SC1 Виробник : onsemi nthl040n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
на замовлення 1128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1578.88 грн
10+1504.00 грн
30+926.19 грн
120+919.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120SC1 NTHL040N120SC1 Виробник : ON Semiconductor nthl040n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120SC1 NTHL040N120SC1 Виробник : ON Semiconductor nthl040n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120SC1 NTHL040N120SC1 Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB9EEB6CE3B7C60C7&compId=NTHL040N120SC1.PDF?ci_sign=d6a134f46763306b2ba210f070ef926d26e4738a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 42A; Idm: 240A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120SC1 NTHL040N120SC1 Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB9EEB6CE3B7C60C7&compId=NTHL040N120SC1.PDF?ci_sign=d6a134f46763306b2ba210f070ef926d26e4738a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 42A; Idm: 240A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.