NTHL040N120SC1 onsemi
Виробник: onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 800 V
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1338.19 грн |
| 30+ | 1068.16 грн |
| 120+ | 1001.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTHL040N120SC1 onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V, Power Dissipation (Max): 348W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 800 V.
Інші пропозиції NTHL040N120SC1 за ціною від 819.75 грн до 1496.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTHL040N120SC1 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTHL040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.039 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.97V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 348W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTHL040N120SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTHL040N120SC1 | Виробник : onsemi |
MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L |
на замовлення 792 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTHL040N120SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 95 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTHL040N120SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
NTHL040N120SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
NTHL040N120SC1 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 42A; Idm: 240A; 174W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 42A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 174W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -15...25V On-state resistance: 56mΩ Mounting: THT Gate charge: 106nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
NTHL040N120SC1 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 42A; Idm: 240A; 174W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 42A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 174W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -15...25V On-state resistance: 56mΩ Mounting: THT Gate charge: 106nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |