Продукція > ONSEMI > NTHL045N065SC1
NTHL045N065SC1

NTHL045N065SC1 onsemi

nthl045n065sc1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+890.58 грн
10+600.32 грн
450+433.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTHL045N065SC1 onsemi

Description: ONSEMI - NTHL045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 66 A, 650 V, 0.032 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 66A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 291W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTHL045N065SC1 за ціною від 655.79 грн до 902.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTHL045N065SC1 NTHL045N065SC1 ON Semiconductor nthl045n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+902.79 грн
10+750.22 грн
30+742.72 грн
60+708.97 грн
120+655.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL045N065SC1 NTHL045N065SC1 onsemi nthl045n065sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V
на замовлення 1798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL045N065SC1 NTHL045N065SC1 ONSEMI nthl045n065sc1-d.pdf Description: ONSEMI - NTHL045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 66 A, 650 V, 0.032 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 291W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL045N065SC1 Aptina Imaging nthl045n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+750.22 грн
30+742.72 грн
60+735.23 грн
120+708.25 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL045N065SC1 nthl045n065sc1-d.pdf
NTHL045N065SC1
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+902.79 грн
10+750.22 грн
30+742.72 грн
60+708.97 грн
120+655.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL045N065SC1 nthl045n065sc1-d.pdf
NTHL045N065SC1
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V
на замовлення 1798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL045N065SC1 nthl045n065sc1-d.pdf
NTHL045N065SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTHL045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 66 A, 650 V, 0.032 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 291W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL045N065SC1 nthl045n065sc1-d.pdf
Виробник: Aptina Imaging
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+750.22 грн
30+742.72 грн
60+735.23 грн
120+708.25 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.