NTHL045N065SC1 ON Semiconductor
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 726.28 грн |
| 10+ | 603.54 грн |
| 30+ | 597.51 грн |
| 60+ | 570.36 грн |
| 120+ | 527.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTHL045N065SC1 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTHL045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 66 A, 650 V, 0.032 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 66A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 291W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTHL045N065SC1 за ціною від 551.17 грн до 932.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTHL045N065SC1 | Виробник : onsemi |
 Description: SIC MOS TO247-3L 650VPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V Power Dissipation (Max): 291W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V |
на замовлення 1666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTHL045N065SC1 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTHL045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 66 A, 650 V, 0.032 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 66A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 291W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 546 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTHL045N065SC1 | Виробник : onsemi |
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V |
на замовлення 1575 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NTHL045N065SC1 | Виробник : Aptina Imaging |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
NTHL045N065SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NTHL045N065SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NTHL045N065SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
NTHL045N065SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| NTHL045N065SC1 | Виробник : ONSEMI |
NTHL045N065SC1 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |