Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTHL045N065SC1
NTHL045N065SC1

NTHL045N065SC1 ON Semiconductor

nthl045n065sc1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+833.97 грн
10+693.03 грн
30+686.10 грн
60+654.93 грн
120+605.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTHL045N065SC1 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTHL045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 66 A, 650 V, 0.032 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 66A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 291W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTHL045N065SC1 за ціною від 519.53 грн до 1060.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTHL045N065SC1 NTHL045N065SC1 Виробник : onsemi nthl045n065sc1-d.pdf Description: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V
на замовлення 1666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+911.27 грн
10+793.28 грн
450+602.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL045N065SC1 NTHL045N065SC1 Виробник : ONSEMI NTHL045N065SC1-D.PDF Description: ONSEMI - NTHL045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 66 A, 650 V, 0.032 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 291W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+959.62 грн
5+931.29 грн
10+902.11 грн
50+710.95 грн
100+641.54 грн
250+626.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL045N065SC1 NTHL045N065SC1 Виробник : onsemi nthl045n065sc1-d.pdf SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L
на замовлення 1844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1060.49 грн
10+781.36 грн
120+586.10 грн
510+555.49 грн
1020+519.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL045N065SC1 Виробник : Aptina Imaging nthl045n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+646.82 грн
30+640.36 грн
60+633.90 грн
120+610.64 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL045N065SC1 NTHL045N065SC1 Виробник : ON Semiconductor nthl045n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL045N065SC1 NTHL045N065SC1 Виробник : ON Semiconductor nthl045n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL045N065SC1 NTHL045N065SC1 Виробник : ON Semiconductor nthl045n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL045N065SC1 NTHL045N065SC1 Виробник : ON Semiconductor nthl045n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL045N065SC1 Виробник : ONSEMI nthl045n065sc1-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 46A; Idm: 191A; 145W
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: SiC
Case: TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 191A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Gate-source voltage: -5...18V
Gate charge: 105nC
On-state resistance: 42mΩ
Power dissipation: 145W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL045N065SC1 Виробник : ONSEMI nthl045n065sc1-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 46A; Idm: 191A; 145W
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: SiC
Case: TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 191A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Gate-source voltage: -5...18V
Gate charge: 105nC
On-state resistance: 42mΩ
Power dissipation: 145W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.