NTHL045N065SC1 onsemi
Виробник: onsemi
Description: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 917.42 грн |
| 10+ | 618.41 грн |
| 450+ | 446.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTHL045N065SC1 onsemi
Description: SIC MOS TO247-3L 650V, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V, Power Dissipation (Max): 291W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +22V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V.
Інші пропозиції NTHL045N065SC1 за ціною від 478.58 грн до 947.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTHL045N065SC1 | onsemi |
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V |
на замовлення 1798 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| NTHL045N065SC1 |
|
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V
на замовлення 1798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 947.29 грн |
| 10+ | 613.59 грн |
| 120+ | 478.58 грн |