NTHL060N065SC1 onsemi
Виробник: onsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
на замовлення 20783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 708.49 грн |
| 30+ | 544.62 грн |
| 120+ | 487.29 грн |
| 510+ | 403.5 грн |
| 1020+ | 363.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTHL060N065SC1 onsemi
Description: ONSEMI - NTHL060N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 47 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 176W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 176W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NTHL060N065SC1 за ціною від 368.66 грн до 1241.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTHL060N065SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTHL060N065SC1 | Виробник : onsemi |
MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V |
на замовлення 622 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTHL060N065SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTHL060N065SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTHL060N065SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTHL060N065SC1 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTHL060N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 47 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 176W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 176W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 321 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTHL060N065SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 20250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NTHL060N065SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |