Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTHL060N090SC1
NTHL060N090SC1

NTHL060N090SC1 ON Semiconductor

nthl060n090sc1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+493.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTHL060N090SC1 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTHL060N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 46 A, 900 V, 0.06 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 46A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 221W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTHL060N090SC1 за ціною від 461.57 грн до 1116.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTHL060N090SC1 NTHL060N090SC1 Виробник : ONSEMI NTHL060N090SC1-D.PDF Description: ONSEMI - NTHL060N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 46 A, 900 V, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 221W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+718.74 грн
5+684.16 грн
10+649.58 грн
50+571.84 грн
100+498.21 грн
250+468.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL060N090SC1 NTHL060N090SC1 Виробник : onsemi NTHL060N090SC1_D-2318794.pdf SiC MOSFETs 60MOHM 900V
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+769.75 грн
10+722.46 грн
30+495.39 грн
120+479.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL060N090SC1 NTHL060N090SC1 Виробник : onsemi nthl060n090sc1-d.pdf Description: SICFET N-CH 900V 46A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 450 V
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+876.46 грн
30+565.72 грн
120+508.61 грн
510+461.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL060N090SC1 NTHL060N090SC1 Виробник : ONSEMI NTHL060N090SC1.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 32A; Idm: 184A; 110W
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 32A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 87nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...20V
Pulsed drain current: 184A
Mounting: THT
Case: TO247-3
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+930.32 грн
2+662.05 грн
4+626.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL060N090SC1 NTHL060N090SC1 Виробник : ONSEMI NTHL060N090SC1.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 32A; Idm: 184A; 110W
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 32A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 87nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...20V
Pulsed drain current: 184A
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1116.39 грн
2+825.01 грн
4+751.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL060N090SC1 Виробник : Aptina Imaging nthl060n090sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+531.17 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL060N090SC1 Виробник : Aptina Imaging nthl060n090sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
41+745.51 грн
100+715.08 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL060N090SC1 NTHL060N090SC1 Виробник : ON Semiconductor nthl060n090sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL060N090SC1 NTHL060N090SC1 Виробник : ON Semiconductor nthl060n090sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.