Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTHL075N065SC1
NTHL075N065SC1

NTHL075N065SC1 ON Semiconductor

nthl075n065sc1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+501.20 грн
10+431.84 грн
30+356.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTHL075N065SC1 ON Semiconductor

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V, Power Dissipation (Max): 148W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +22V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1196 pF @ 325 V.

Інші пропозиції NTHL075N065SC1 за ціною від 301.10 грн до 719.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTHL075N065SC1 NTHL075N065SC1 Виробник : onsemi NTHL075N065SC1-D.PDF Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1196 pF @ 325 V
на замовлення 3430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+623.50 грн
30+384.38 грн
120+330.69 грн
510+301.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL075N065SC1 NTHL075N065SC1 Виробник : onsemi NTHL075N065SC1-D.PDF SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+719.23 грн
10+675.03 грн
30+356.27 грн
120+346.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL075N065SC1 Виробник : Aptina Imaging NTHL075N065SC1-D.PDF Silicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
60+515.93 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL075N065SC1 Виробник : Aptina Imaging NTHL075N065SC1-D.PDF Silicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+539.76 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL075N065SC1 NTHL075N065SC1 Виробник : ON Semiconductor nthl075n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL075N065SC1 Виробник : ON Semiconductor nthl075n065sc1-d.pdf Silicon Carbide (SiC) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL075N065SC1 NTHL075N065SC1 Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEBDAE9828496F60D6&compId=NTHL075N065SC1.PDF?ci_sign=430aea5e6198bb2ffbb8f61c66a0b836c3d03f91 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 120A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 74W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL075N065SC1 NTHL075N065SC1 Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEBDAE9828496F60D6&compId=NTHL075N065SC1.PDF?ci_sign=430aea5e6198bb2ffbb8f61c66a0b836c3d03f91 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 120A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 74W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.