Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTHL080N120SC1
NTHL080N120SC1

NTHL080N120SC1 ON Semiconductor

NTHL080N120SC1_D-2318537.pdf Виробник: ON Semiconductor
MOSFET SIC MOS 80MW 1200V
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTHL080N120SC1 ON Semiconductor

Description: SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V, Power Dissipation (Max): 348W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V.

Інші пропозиції NTHL080N120SC1 за ціною від 696.82 грн до 726.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTHL080N120SC1 Виробник : Aptina Imaging nthl080n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
42+726.24 грн
100+696.82 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL080N120SC1 Виробник : Aptina Imaging nthl080n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
42+726.24 грн
100+696.82 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL080N120SC1 NTHL080N120SC1 Виробник : ON Semiconductor nthl080n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL080N120SC1 NTHL080N120SC1 Виробник : onsemi nthl080n120sc1-d.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.