NTHL080N120SC1A onsemi
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 770.82 грн |
| 30+ | 473.97 грн |
| 120+ | 462.43 грн |
| 510+ | 417.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTHL080N120SC1A onsemi
Description: ONSEMI - NTHL080N120SC1A - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 31 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 178W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції NTHL080N120SC1A за ціною від 401.99 грн до 958.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTHL080N120SC1A | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTHL080N120SC1A - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 31 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 178W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 532 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTHL080N120SC1A | Виробник : onsemi |
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1200V |
на замовлення 1185 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTHL080N120SC1A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
NTHL080N120SC1A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |