Продукція > ONSEMI > NTHL080N120SC1A
NTHL080N120SC1A

NTHL080N120SC1A onsemi

nthl080n120sc1a-d.pdf Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+726.13 грн
30+ 566.46 грн
120+ 533.13 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTHL080N120SC1A onsemi

Description: SICFET N-CH 1200V 31A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V, Power Dissipation (Max): 178W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NTHL080N120SC1A за ціною від 466.82 грн до 996.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTHL080N120SC1A NTHL080N120SC1A Виробник : onsemi NTHL080N120SC1A_D-2318597.pdf MOSFET SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1200V
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+789.36 грн
10+ 685.41 грн
25+ 579.36 грн
50+ 547.4 грн
100+ 515.43 грн
250+ 499.45 грн
450+ 466.82 грн
NTHL080N120SC1A NTHL080N120SC1A Виробник : ONSEMI nthl080n120sc1a-d.pdf Description: ONSEMI - NTHL080N120SC1A - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 31 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+805.31 грн
5+ 778.42 грн
10+ 751.53 грн
50+ 672.18 грн
100+ 597.42 грн
250+ 574.37 грн
NTHL080N120SC1A NTHL080N120SC1A Виробник : ON Semiconductor nthl080n120sc1a-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+996.71 грн
480+ 928.71 грн
960+ 877.19 грн
1440+ 807.3 грн
Мінімальне замовлення: 30
NTHL080N120SC1A NTHL080N120SC1A Виробник : ON Semiconductor nthl080n120sc1a-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL080N120SC1A NTHL080N120SC1A Виробник : ON Semiconductor nthl080n120sc1a-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL080N120SC1A NTHL080N120SC1A Виробник : ON Semiconductor nthl080n120sc1a-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL080N120SC1A Виробник : ONSEMI nthl080n120sc1a-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 22A; Idm: 132A; 178W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 132A
Power dissipation: 178W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 114mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTHL080N120SC1A Виробник : ONSEMI nthl080n120sc1a-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 22A; Idm: 132A; 178W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 132A
Power dissipation: 178W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 114mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній