NTHL080N120SC1A ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL080N120SC1A - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 31 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 514.98 грн |
| 5+ | 514.15 грн |
| 10+ | 513.33 грн |
| 50+ | 451.37 грн |
| 100+ | 392.60 грн |
| 250+ | 369.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTHL080N120SC1A ONSEMI
Description: ONSEMI - NTHL080N120SC1A - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 31 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 178W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTHL080N120SC1A за ціною від 427.08 грн до 789.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTHL080N120SC1A | Виробник : onsemi |
SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 80 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 80 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L |
на замовлення 1681 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
NTHL080N120SC1A | Виробник : onsemi |
Description: SICFET N-CH 1200V 31A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V Power Dissipation (Max): 178W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA Supplier Device Package: TO-247-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 78742 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
NTHL080N120SC1A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
NTHL080N120SC1A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
NTHL080N120SC1A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| NTHL080N120SC1A | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 22A; Idm: 132A; 178W; TO247 Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 56nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 132A Mounting: THT Case: TO247 Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 22A On-state resistance: 114mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 178W кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
| NTHL080N120SC1A | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 22A; Idm: 132A; 178W; TO247 Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 56nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 132A Mounting: THT Case: TO247 Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 22A On-state resistance: 114mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 178W |
товару немає в наявності |