на замовлення 2683 шт:
термін постачання 1218-1227 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 718.2 грн |
| 10+ | 606.15 грн |
| 30+ | 478.21 грн |
| 120+ | 439.24 грн |
| 270+ | 413.48 грн |
| 510+ | 387.72 грн |
| 1020+ | 348.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTHL082N65S3F onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 40A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 313W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V.
Інші пропозиції NTHL082N65S3F
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NTHL082N65S3F | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|
 |
NTHL082N65S3F | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|
|
|
NTHL082N65S3F | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|
| NTHL082N65S3F | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 25.5A; Idm: 100A; 313W; TO247 Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: 650V Drain current: 25.5A On-state resistance: 82mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 313W Polarisation: unipolar Gate charge: 81nC Technology: SuperFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 100A Case: TO247 кількість в упаковці: 450 шт |
товар відсутній |
||
 |
NTHL082N65S3F | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 40A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V |
товар відсутній |
|
| NTHL082N65S3F | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 25.5A; Idm: 100A; 313W; TO247 Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: 650V Drain current: 25.5A On-state resistance: 82mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 313W Polarisation: unipolar Gate charge: 81nC Technology: SuperFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 100A Case: TO247 |
товар відсутній |