NTHL082N65S3F


nthl082n65s3f-d.pdf
Код товару: 209479
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції NTHL082N65S3F за ціною від 344.67 грн до 746.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTHL082N65S3F NTHL082N65S3F ON Semiconductor nthl082n65s3f-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+508.76 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL082N65S3F NTHL082N65S3F ON Semiconductor nthl082n65s3f-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+508.76 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL082N65S3F NTHL082N65S3F onsemi nthl082n65s3f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V
на замовлення 8377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+746.64 грн
10+498.47 грн
450+344.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL082N65S3F NTHL082N65S3F onsemi nthl082n65s3f-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 650V TO247 N-CHANNEL
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL082N65S3F NTHL082N65S3F ONSEMI nthl082n65s3f-d.pdf Description: ONSEMI - NTHL082N65S3F - Leistungs-MOSFET, SuperFET®, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, TO-247AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL082N65S3F nthl082n65s3f-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+508.76 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL082N65S3F nthl082n65s3f-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+508.76 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL082N65S3F nthl082n65s3f-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V
на замовлення 8377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+746.64 грн
10+498.47 грн
450+344.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL082N65S3F nthl082n65s3f-d.pdf
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V TO247 N-CHANNEL
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL082N65S3F nthl082n65s3f-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTHL082N65S3F - Leistungs-MOSFET, SuperFET®, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, TO-247AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

MUR1560G
Код товару: 200239
2 Додати до обраних Обраний товар
description MUR1520-D.pdf
Виробник: ON
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: TO-220
Зворотна напруга Vrr, В: 600 В
Середній струм Iav, А: 15 А
Час зворотного відновлення Trr, ns: 60 ns
у наявності: 99 шт
  • 82 шт - склад
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна без ПДВ
1+56.00 грн
10+51.00 грн
100+46.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.