NTHL082N65S3F


nthl082n65s3f-d.pdf
Код товару: 209479
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції NTHL082N65S3F за ціною від 349.52 грн до 794.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTHL082N65S3F NTHL082N65S3F Виробник : ON Semiconductor nthl082n65s3f-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+504.20 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL082N65S3F NTHL082N65S3F Виробник : ON Semiconductor nthl082n65s3f-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+504.20 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL082N65S3F NTHL082N65S3F Виробник : onsemi nthl082n65s3f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V
на замовлення 8377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+757.15 грн
10+505.49 грн
450+349.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL082N65S3F NTHL082N65S3F Виробник : ONSEMI nthl082n65s3f-d.pdf Description: ONSEMI - NTHL082N65S3F - Leistungs-MOSFET, SuperFET®, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, TO-247AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+793.29 грн
5+660.53 грн
10+526.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL082N65S3F NTHL082N65S3F Виробник : onsemi nthl082n65s3f-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 650V TO247 N-CHANNEL
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+794.10 грн
10+517.05 грн
120+373.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL082N65S3F Виробник : ONSEMI NTHL082N65S3F.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 25.5A; Idm: 100A; 313W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 25.5A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 313W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

MUR1560G
Код товару: 200239
2 Додати до обраних Обраний товар
description MUR1520-D.pdf
MUR1560G
Виробник: ON
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: TO-220
Vrr, V: 600 V
Iav, A: 15 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 60 ns
у наявності: 108 шт
85 шт - склад
13 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
Кількість Ціна
1+56.00 грн
10+51.00 грн
100+46.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.