Інші пропозиції NTHL082N65S3F за ціною від 349.52 грн до 794.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTHL082N65S3F | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTHL082N65S3F | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTHL082N65S3F | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 40A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V |
на замовлення 8377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTHL082N65S3F | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTHL082N65S3F - Leistungs-MOSFET, SuperFET®, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, TO-247AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 313W Bauform - Transistor: TO-247AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
NTHL082N65S3F | Виробник : onsemi |
MOSFETs SUPERFET3 650V TO247 N-CHANNEL |
на замовлення 440 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
| NTHL082N65S3F | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 25.5A; Idm: 100A; 313W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 25.5A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 313W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 82mΩ Mounting: THT Gate charge: 81nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: SuperFET® |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| MUR1560G Код товару: 200239
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: ON
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: TO-220
Vrr, V: 600 V
Iav, A: 15 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 60 ns
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: TO-220
Vrr, V: 600 V
Iav, A: 15 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 60 ns
у наявності: 108 шт
85 шт - склад
13 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
13 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 56.00 грн |
| 10+ | 51.00 грн |
| 100+ | 46.00 грн |





