
NTHL095N65S3H onsemi

Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.8mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2833 pF @ 400 V
на замовлення 1576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 390.74 грн |
30+ | 297.06 грн |
120+ | 283.35 грн |
510+ | 255.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTHL095N65S3H onsemi
Description: ONSEMI - NTHL095N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 208W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NTHL095N65S3H за ціною від 269.51 грн до 425.71 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTHL095N65S3H | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTHL095N65S3H | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
NTHL095N65S3H | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 385 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
![]() |
NTHL095N65S3H | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
NTHL095N65S3H | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
NTHL095N65S3H | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
NTHL095N65S3H | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |