Продукція > ONSEMI > NTHL095N65S3H
NTHL095N65S3H

NTHL095N65S3H onsemi


nthl095n65s3h-d.pdf Виробник: onsemi
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.8mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2833 pF @ 400 V
на замовлення 364 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+498.13 грн
30+ 382.71 грн
120+ 342.43 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTHL095N65S3H onsemi

Description: ONSEMI - NTHL095N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 208W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 208W, Bauform - Transistor: TO-247, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.077ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції NTHL095N65S3H за ціною від 316.71 грн до 582.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTHL095N65S3H NTHL095N65S3H Виробник : ONSEMI 3191510.pdf Description: ONSEMI - NTHL095N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 208W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.077ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+502.46 грн
10+ 437.05 грн
25+ 375.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTHL095N65S3H NTHL095N65S3H Виробник : onsemi NTHL095N65S3H_D-2318796.pdf MOSFET SUPERFET3 FAST, 95MOHM, TO-247-3
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+582.08 грн
10+ 536.43 грн
25+ 395.56 грн
100+ 392.91 грн
250+ 370.38 грн
450+ 327.31 грн
900+ 316.71 грн
NTHL095N65S3H Виробник : ON Semiconductor nthl095n65s3h-d.pdf
на замовлення 385 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHL095N65S3H NTHL095N65S3H Виробник : ON Semiconductor nthl095n65s3h-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 30A Tube
товар відсутній
NTHL095N65S3H NTHL095N65S3H Виробник : ON Semiconductor nthl095n65s3h-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL095N65S3H NTHL095N65S3H Виробник : ON Semiconductor nthl095n65s3h-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній