Продукція > ONSEMI > NTHL095N65S3H
NTHL095N65S3H

NTHL095N65S3H onsemi

nthl095n65s3h-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.8mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2833 pF @ 400 V
на замовлення 47914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+581.59 грн
30+327.53 грн
120+276.50 грн
510+231.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTHL095N65S3H onsemi

Description: ONSEMI - NTHL095N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 208W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm.

Інші пропозиції NTHL095N65S3H

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTHL095N65S3H NTHL095N65S3H onsemi nthl095n65s3h-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 FAST 95MOHM TO-247-3
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL095N65S3H NTHL095N65S3H ONSEMI 3191510.pdf Description: ONSEMI - NTHL095N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 208W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL095N65S3H nthl095n65s3h-d.pdf
NTHL095N65S3H
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 FAST 95MOHM TO-247-3
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL095N65S3H 3191510.pdf
NTHL095N65S3H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTHL095N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 208W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.