Технічний опис NTHL125N65S3H onsemi
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 171W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.1mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 400 V.
Інші пропозиції NTHL125N65S3H
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| NTHL125N65S3H | ON Semiconductor |
|
на замовлення 430 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NTHL125N65S3H |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)


