Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTHL160N120SC1
NTHL160N120SC1

NTHL160N120SC1 ON Semiconductor

nthl160n120sc1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+477.80 грн
28+466.31 грн
32+403.29 грн
100+378.05 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTHL160N120SC1 ON Semiconductor

Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V, Power Dissipation (Max): 119W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 800 V.

Інші пропозиції NTHL160N120SC1 за ціною від 336.18 грн до 710.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTHL160N120SC1 NTHL160N120SC1 Виробник : ON Semiconductor nthl160n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+511.92 грн
10+499.52 грн
25+432.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL160N120SC1 NTHL160N120SC1 Виробник : onsemi nthl160n120sc1-d.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 800 V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+687.95 грн
30+390.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL160N120SC1 NTHL160N120SC1 Виробник : onsemi nthl160n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 160MOHM
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+710.59 грн
10+439.37 грн
450+352.00 грн
900+336.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL160N120SC1 NTHL160N120SC1 Виробник : ON Semiconductor nthl160n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL160N120SC1 NTHL160N120SC1 Виробник : ON Semiconductor nthl160n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL160N120SC1 NTHL160N120SC1 Виробник : ONSEMI NTHL160N120SC1.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 69A; 59W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -15...25V
Gate charge: 34nC
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 12A
Power dissipation: 59W
Pulsed drain current: 69A
Drain-source voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.