Продукція > ONSEMI > NTHL160N120SC1
NTHL160N120SC1

NTHL160N120SC1 onsemi

NTHL160N120SC1-D.PDF Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V
на замовлення 1337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+401.75 грн
10+338.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTHL160N120SC1 onsemi

Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V, Power Dissipation (Max): 119W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 800 V.

Інші пропозиції NTHL160N120SC1 за ціною від 306.74 грн до 598.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTHL160N120SC1 NTHL160N120SC1 Виробник : ON Semiconductor nthl160n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+465.60 грн
28+454.41 грн
32+393.00 грн
100+368.40 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL160N120SC1 NTHL160N120SC1 Виробник : ON Semiconductor nthl160n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+498.86 грн
10+486.78 грн
25+420.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL160N120SC1 NTHL160N120SC1 Виробник : onsemi nthl160n120sc1-d.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 800 V
на замовлення 43847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+598.32 грн
30+383.10 грн
120+351.08 грн
510+306.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL160N120SC1 NTHL160N120SC1 Виробник : ON Semiconductor nthl160n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL160N120SC1 NTHL160N120SC1 Виробник : ON Semiconductor nthl160n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL160N120SC1 NTHL160N120SC1 Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB9C13DAA45B960C7&compId=NTHL160N120SC1.PDF?ci_sign=c717d8e84721511fa32e0a71bba611e3703b0361 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 69A; 59W
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -15...25V
Gate charge: 34nC
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 12A
Power dissipation: 59W
Pulsed drain current: 69A
Drain-source voltage: 1.2kV
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.