Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTHL160N120SC1
NTHL160N120SC1

NTHL160N120SC1 ON Semiconductor

nthl160n120sc1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+529.74 грн
10+516.91 грн
25+447.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTHL160N120SC1 ON Semiconductor

Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V, Power Dissipation (Max): 119W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 800 V.

Інші пропозиції NTHL160N120SC1 за ціною від 320.60 грн до 667.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTHL160N120SC1 NTHL160N120SC1 ON Semiconductor nthl160n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+529.74 грн
28+517.00 грн
32+447.13 грн
100+419.15 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL160N120SC1 NTHL160N120SC1 onsemi nthl160n120sc1-d.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 800 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+667.36 грн
30+378.52 грн
120+320.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL160N120SC1 NTHL160N120SC1 onsemi nthl160n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL160N120SC1 ONN nthl160n120sc1-d.pdf
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL160N120SC1 nthl160n120sc1-d.pdf
NTHL160N120SC1
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+529.74 грн
28+517.00 грн
32+447.13 грн
100+419.15 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL160N120SC1 nthl160n120sc1-d.pdf
NTHL160N120SC1
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 800 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+667.36 грн
30+378.52 грн
120+320.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL160N120SC1 nthl160n120sc1-d.pdf
NTHL160N120SC1
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL160N120SC1 nthl160n120sc1-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.