NTHL185N60S5H onsemi
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 435.51 грн |
| 10+ | 288.52 грн |
| 120+ | 163.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTHL185N60S5H onsemi
Description: SUPERFET5 FAST 185MOHM TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 7.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 116W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 1.4mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 400 V.
Інші пропозиції NTHL185N60S5H
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| NTHL185N60S5H | Виробник : ON Semiconductor |
Power MOSFET, N-Channel |
товару немає в наявності |
||
|
NTHL185N60S5H | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|
|
NTHL185N60S5H | Виробник : onsemi |
Description: SUPERFET5 FAST 185MOHM TO-247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 116W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 1.4mA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |
|
| NTHL185N60S5H | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; Idm: 53A; 116W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Power dissipation: 116W Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 25nC On-state resistance: 0.185Ω Drain current: 15A Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 53A Drain-source voltage: 600V Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |


