Продукція > ONSEMI > NTHL190N65S3HF
NTHL190N65S3HF

NTHL190N65S3HF onsemi

nthl190n65s3hf-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 400 V
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+461.22 грн
30+255.10 грн
120+213.47 грн
510+171.72 грн
1020+170.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTHL190N65S3HF onsemi

Description: ONSEMI - NTHL190N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.165 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 162W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III FRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTHL190N65S3HF за ціною від 195.92 грн до 487.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTHL190N65S3HF NTHL190N65S3HF Виробник : ONSEMI nthl190n65s3hf-d.pdf Description: ONSEMI - NTHL190N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.165 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 162W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+472.61 грн
10+418.11 грн
100+289.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL190N65S3HF NTHL190N65S3HF Виробник : onsemi nthl190n65s3hf-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET 190M
на замовлення 1314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+487.25 грн
10+276.63 грн
100+200.80 грн
450+200.11 грн
900+195.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL190N65S3HF Виробник : ON Semiconductor nthl190n65s3hf-d.pdf
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL190N65S3HF NTHL190N65S3HF Виробник : ON Semiconductor nthl190n65s3hf-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL190N65S3HF NTHL190N65S3HF Виробник : ON Semiconductor nthl190n65s3hf-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.