на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1371.18 грн |
| 10+ | 1190.87 грн |
| 30+ | 1008.05 грн |
| 60+ | 950.77 грн |
| 120+ | 895.03 грн |
| 270+ | 867.53 грн |
| 510+ | 811.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTHLD040N65S3HF onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 446W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5945 pF @ 400 V.
Інші пропозиції NTHLD040N65S3HF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| NTHLD040N65S3HF | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 220 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| NTHLD040N65S3HF | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||
|
NTHLD040N65S3HF | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V Power Dissipation (Max): 446W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5945 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |
|
| NTHLD040N65S3HF | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 446W Case: TO247 Mounting: THT Gate charge: 159nC Kind of package: tube Drain current: 45A Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 162.5A Drain-source voltage: 650V On-state resistance: 32mΩ |
товару немає в наявності |

