Продукція > ONSEMI > NTHS2101PT1
NTHS2101PT1

NTHS2101PT1 onsemi


nths2101p-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 6.4 V
на замовлення 611979 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1902+12.49 грн
Мінімальне замовлення: 1902
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTHS2101PT1 onsemi

Description: ONSEMI - NTHS2101PT1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 5.4 A, 0.019 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 8V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: ChipFET, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції NTHS2101PT1 за ціною від 13.27 грн до 13.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTHS2101PT1 NTHS2101PT1 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013300783-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTHS2101PT1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 5.4 A, 0.019 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 681279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS2101PT1 nths2101p-d.pdf
на замовлення 457 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS2101PT1 NTHS2101PT1 Виробник : onsemi nths2101p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 6.4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.