NTHS2101PT1 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 6.4 V
на замовлення 611979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1902+ | 12.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTHS2101PT1 onsemi
Description: ONSEMI - NTHS2101PT1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 5.4 A, 0.019 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 8V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: ChipFET, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NTHS2101PT1 за ціною від 12.87 грн до 12.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTHS2101PT1 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTHS2101PT1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 5.4 A, 0.019 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 8V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: ChipFET Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 681279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| NTHS2101PT1 |
|
на замовлення 457 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||
|
|
NTHS2101PT1 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 6.4 V |
товару немає в наявності |