Продукція > ONSEMI > NTHS4101PT1G
NTHS4101PT1G

NTHS4101PT1G onsemi

nths4101p-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 16 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+27.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTHS4101PT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTHS4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.8 A, 0.034 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: ChipFET, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTHS4101PT1G за ціною від 25.42 грн до 112.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTHS4101PT1G NTHS4101PT1G onsemi nths4101p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 16 V
на замовлення 7781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.38 грн
10+68.56 грн
100+45.74 грн
500+33.76 грн
1000+30.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS4101PT1G NTHS4101PT1G onsemi nths4101p-d.pdf MOSFETs -20V -6.7A P-Channel
на замовлення 8107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS4101PT1G NTHS4101PT1G ONSEMI ONSM-S-A0013669916-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTHS4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.8 A, 0.034 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS4101PT1G NTHS4101PT1G ONSEMI ONSM-S-A0013669916-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTHS4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.8 A, 0.034 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS4101PT1G ON Semiconductor nths4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.8A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+45.86 грн
18+41.99 грн
25+40.69 грн
100+33.52 грн
250+30.86 грн
500+27.97 грн
1000+25.42 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS4101PT1G nths4101p-d.pdf
NTHS4101PT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 16 V
на замовлення 7781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+112.38 грн
10+68.56 грн
100+45.74 грн
500+33.76 грн
1000+30.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS4101PT1G nths4101p-d.pdf
NTHS4101PT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs -20V -6.7A P-Channel
на замовлення 8107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS4101PT1G ONSM-S-A0013669916-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTHS4101PT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTHS4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.8 A, 0.034 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS4101PT1G ONSM-S-A0013669916-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTHS4101PT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTHS4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.8 A, 0.034 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS4101PT1G nths4101p-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 4.8A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+45.86 грн
18+41.99 грн
25+40.69 грн
100+33.52 грн
250+30.86 грн
500+27.97 грн
1000+25.42 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.