Продукція > ONSEMI > NTHS4101PT1G
NTHS4101PT1G

NTHS4101PT1G onsemi


nths4101p-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 16 V
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+28.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTHS4101PT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTHS4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.8 A, 0.021 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: ChipFET, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTHS4101PT1G за ціною від 23.91 грн до 93.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTHS4101PT1G NTHS4101PT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013669916-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTHS4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.8 A, 0.021 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+36.56 грн
100+34.58 грн
500+30.04 грн
1000+25.82 грн
5000+23.91 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS4101PT1G NTHS4101PT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013669916-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTHS4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.8 A, 0.021 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 1.3W
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+56.20 грн
500+42.99 грн
1000+31.76 грн
3000+30.13 грн
6000+28.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS4101PT1G NTHS4101PT1G Виробник : onsemi NTHS4101P_D-2318599.pdf MOSFET -20V -6.7A P-Channel
на замовлення 9786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.28 грн
10+49.07 грн
100+35.97 грн
500+32.37 грн
1000+29.13 грн
3000+28.47 грн
6000+27.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS4101PT1G NTHS4101PT1G Виробник : onsemi nths4101p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 16 V
на замовлення 8229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.11 грн
10+60.23 грн
100+42.05 грн
500+31.80 грн
1000+29.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS4101PT1G NTHS4101PT1G Виробник : ON Semiconductor nths4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.8A 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS4101PT1G Виробник : ONSEMI nths4101p-d.pdf NTHS4101PT1G SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.