Продукція > ONSEMI > NTHS4111PT1G
NTHS4111PT1G

NTHS4111PT1G onsemi

NTHS4111P-D.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 3.3A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 24 V
на замовлення 2177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1480+13.2 грн
Мінімальне замовлення: 1480
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTHS4111PT1G onsemi

Description: MOSFET P-CH 30V 3.3A CHIPFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Lead, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: ChipFET™, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 24 V.

Інші пропозиції NTHS4111PT1G за ціною від 14.89 грн до 14.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTHS4111PT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013296102-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTHS4111PT1G - NTHS4111PT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1781+14.89 грн
Мінімальне замовлення: 1781
NTHS4111PT1G NTHS4111PT1G Виробник : onsemi NTHS4111P-D.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 3.3A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 24 V
товар відсутній