Продукція > ONSEMI > NTHS4166NT1G
NTHS4166NT1G

NTHS4166NT1G onsemi

nths4166n-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 15 V
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+56.77 грн
10+ 44.98 грн
100+ 35.01 грн
Мінімальне замовлення: 6
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTHS4166NT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Lead, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: ChipFET™, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 15 V.

Інші пропозиції NTHS4166NT1G за ціною від 23.38 грн до 67.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTHS4166NT1G NTHS4166NT1G Виробник : onsemi NTHS4166N_D-1813953.pdf MOSFET CHPFT SNGL 30V 8.2A NFET
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+67.73 грн
10+ 60.27 грн
100+ 40.85 грн
500+ 33.74 грн
1000+ 26.97 грн
3000+ 24.78 грн
6000+ 23.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTHS4166NT1G Виробник : ON nths4166n-d.pdf SOT26/SOT363
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHS4166NT1G Виробник : ON Semiconductor nths4166n-d.pdf
на замовлення 3960 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHS4166NT1G NTHS4166NT1G Виробник : onsemi nths4166n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 15 V
товар відсутній